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RAD硬光纖

簡要描述:RAD硬光纖:十多年來,我們在輻射環(huán)境(如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫,甚至進入太空)中的光纖設(shè)計方面開發(fā)了特殊的技術(shù)。我們開發(fā)并維護一條全面的光纖產(chǎn)品線,旨在滿足許多此類應(yīng)用。我們的光纖可用于數(shù)據(jù)傳輸、傳感或?qū)嶒灡O(jiān)測。

  • 產(chǎn)品品牌:其他品牌
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-06-20
  • 訪  問  量:806

詳細介紹

品牌其他品牌應(yīng)用領(lǐng)域綜合

RAD硬光纖 

用于惡劣環(huán)境的涂料

RAD硬光纖十多年來,我們在輻射環(huán)境(如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫,甚至進入太空)中的光纖設(shè)計方面開發(fā)了特殊的技術(shù)。我們開發(fā)并維護一條全面的光纖產(chǎn)品線,旨在滿足許多此類應(yīng)用。我們的光纖可用于數(shù)據(jù)傳輸、傳感或?qū)嶒灡O(jiān)測。

更多的光纖有現(xiàn)貨供應(yīng),而且我們有能力根據(jù)您的具體應(yīng)用定制設(shè)計您的光纖。如果您有具體的技術(shù)要求,請隨時與我們聯(lián)系。

RAD硬光纖關(guān)鍵特征

l低輻射感生衰減

l低彎曲損耗

l適用于每種輻射環(huán)境的化學核心組合物

l適用于惡劣環(huán)境的多種涂料選擇

l出色的機械保護

應(yīng)用覆蓋

l                      核環(huán)境

l                      高能物理

l                      空間

主要規(guī)格

低輻射水平

產(chǎn)品名稱

纖芯數(shù)值孔徑

衰減@ 1550 nm

(dB/km)

截止波長(nm)

模場直徑@ 1550 nm

(μm)

包層直徑

(μm)

涂層直徑(μm)

工作溫度范圍(°C)

涂層材料

IXF-SM-1550-80-019-PI

0.19

< 2

< 1450

6.6 ± 1

80 ± 1

110 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-80-024-PI

0.24

< 1.5

< 1450

5.3 ± 0.5

80 ± 1

110 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-012-PI

0.12

< 0.5

< 1350

10.4 ± 0.5

125 ± 1

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-014-PI

0.14

< 0.4

< 1275

8.5 ± 0.5

125 ± 1

155 +/-5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-028-PI

0.28

< 5.0

< 1350

4.5 ± 0.5

125 ± 1

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-014-HT

0.14

< 0.4

< 1275

8.5 ± 0.5

125 ± 1

245 ± 15

-60 / +150

Acrylate

其他產(chǎn)品規(guī)格

l對于20 kGy(γ射線),1550 nm處的輻射誘導(dǎo)衰減(dB/km):~25

l驗證試驗等級(KPSI):100

高輻射水平

產(chǎn)品名稱

纖芯數(shù)值孔徑

衰減@ 1550 nm

(dB/km)

截止波長(nm)

外包層直徑

(μm)

涂層直徑(μm)

工作溫度范圍(°C)

涂層材料

 IXF-RAD-SM-1550-014-HT

0.14

< 0.6

< 1450

125 ± 2

245 ± 15

-60 / +150

Acrylate

IXF-RAD-SM-1550-014-PI

0.14

< 0.6

< 1450

125 ± 2

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-RAD-SM-1550-0.14-AL

0.14

< 20

< 1450

125 ± 2

165 ± 15

Up to 400*

Aluminum

XF-MMF-105-125-0.22-RAD

0.22

 

-

-

245 ± 15

-

-

*高溫鋁涂層

其他產(chǎn)品規(guī)格

l模場直徑@1550 nm(μm):9+/-1

l纖芯/包層偏移(μm):<1

l芯材:純硅

l1 mGy(γ射線)在1550 nm處的輻射誘導(dǎo)衰減(dB/km):~25

l驗證試驗等級(KSPI):100

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